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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序作者升序作者降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序 GaN基材料及其外延生长技术研究 期刊论文 微纳电子技术, 2008, 卷号: 第45卷 第3期, 页码: 153-157 作者:  刘一兵，黄新民，刘国华 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2020/01/13 氮化镓  金属有机物化学气相淀积  分子束外延  氢化物气相外延  缓冲层   MOCVD TiN薄膜在先进集成电路制造中应用的研究 学位论文 博士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）  , 2006 易万兵   收藏  |  浏览/下载：68/0  |  提交时间：2012/03/06 氮化钛  半导体制造  薄膜电阻率  晶体结构  金属有机物化学气相淀积     用MOCVD方法生长940 nm应变多量子阱发光二极管 期刊论文 光电子·激光, 2002, 卷号: 13, 期号: 7, 页码: 682-684 作者:  于永芹;  黄柏标;  周海龙;  魏吉勇;  潘教青 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2020/01/14 发光二极管（LED）  应变多量子阱  金属有机物化学气相淀积（MOCVD）  倒装技术