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科研机构
上海微系统与信息技术... [1]
山东大学 [1]
湖南大学 [1]
内容类型
期刊论文 [2]
学位论文 [1]
发表日期
2008 [1]
2006 [1]
2002 [1]
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GaN基材料及其外延生长技术研究
期刊论文
微纳电子技术, 2008, 卷号: 第45卷 第3期, 页码: 153-157
作者:
刘一兵,黄新民,刘国华
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提交时间:2020/01/13
氮化镓
金属有机物化学气相淀积
分子束外延
氢化物气相外延
缓冲层
MOCVD TiN薄膜在先进集成电路制造中应用的研究
学位论文
博士: 中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所) , 2006
易万兵
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提交时间:2012/03/06
氮化钛
半导体制造
薄膜电阻率
晶体结构
金属有机物化学气相淀积
用MOCVD方法生长940 nm应变多量子阱发光二极管
期刊论文
光电子·激光, 2002, 卷号: 13, 期号: 7, 页码: 682-684
作者:
于永芹
;
黄柏标
;
周海龙
;
魏吉勇
;
潘教青
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提交时间:2020/01/14
发光二极管(LED)
应变多量子阱
金属有机物化学气相淀积(MOCVD)
倒装技术
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