题名 | MOCVD TiN薄膜在先进集成电路制造中应用的研究 |
作者 | 易万兵 |
学位类别 | 博士 |
答辩日期 | 2006 |
授予单位 | 中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所) |
导师 | 邹世昌 ; 杨华岳 |
关键词 | 氮化钛 半导体制造 薄膜电阻率 晶体结构 金属有机物化学气相淀积 |
学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
中文摘要 | 在深亚微米(0.15μm及以下)集成电路制造中,后段工艺日趋重要,为降低阻容迟滞(RC Delay),保证信号传输,减小功耗,有必要对后段工艺进行改进,Via阻挡层MOCVD(Metal-organic Chemical Vapor Deposition,金属有机物化学气相淀积)TiN是其中重要研究课题之一。 本论文基于薄膜电阻的理论分析,从厚度、杂质浓度和晶体结构三大薄膜电阻影响因素出发系统研究MOCVD TiN材料在平面薄膜上和真实结构中的各种性质,重点是等离子体处理(Plasma Treatment |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2012-03-06 |
内容类型 | 学位论文 |
源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/83404] |
专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 易万兵 . MOCVD TiN薄膜在先进集成电路制造中应用的研究[D]. 中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所) . 2006. |
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