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科研机构
北京工业大学 [1]
内容类型
会议论文 [1]
发表日期
2012 [1]
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GaAs-GaN键合界面热应力的EBSD分析
会议论文
田彦宝
;
吴迪
;
吉元
;
郭霞
;
沈光地
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提交时间:2017/06/16
边缘区域:5466,热应力:4669,位错密度:3463,晶片键合:3249,直接键合:3109,背散射:2050,半导体:1843,质量优:1784,测试结果:1704,键合技术:1546
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