| GaAs-GaN键合界面热应力的EBSD分析 | |
| 田彦宝 ; 吴迪 ; 吉元 ; 郭霞 ; 沈光地 | |
| 2012-04-13 ; 2012-04-13 | |
| 关键词 | 边缘区域:5466,热应力:4669,位错密度:3463,晶片键合:3249,直接键合:3109,背散射:2050,半导体:1843,质量优:1784,测试结果:1704,键合技术:1546 |
| 中文摘要 | 采用电子背散射技术(EBSD),分析了 GaAs-GaN 晶片直接键合界面的质量。比较 GaAs-GaN 晶片键合界面中心区域和边缘区域的 IQ 和晶格转动角。测试结果表明,品格畸变、错配角及位错密度在中心区域小于边缘区域,即中心区域的热应力小于边缘区域的热应力,键合质量优于边缘的质量。 |
| 会议网址 | http://guest.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=EGTA200708001019&dbname=CPFD2007 |
| 会议录出版者 | 中国内蒙古包头 |
| 内容类型 | 会议论文 |
| 源URL | [http://hdl.handle.net/123456789/16671]  |
| 专题 | 北京工业大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 田彦宝,吴迪,吉元,等. GaAs-GaN键合界面热应力的EBSD分析[C]. 见:.http://guest.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=EGTA200708001019&dbname=CPFD2007. |
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