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| 光助电化学刻蚀法制作大面积高深宽比硅深槽 期刊论文
http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=NMJM201006005&dbname=CJFQ2010, 2012, 2012
赵志刚; 牛憨笨; 雷耀虎; 郭金川
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| 光助电化学刻蚀法制作大面积高深宽比硅深槽 期刊论文
http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=NMJM201006005&dbname=CJFQ2010, 2012, 2012
赵志刚; 牛憨笨; 雷耀虎; 郭金川
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| 平滑陡直的Si深槽刻蚀方法 期刊论文
半导体技术, 2009, 卷号: 34, 期号: 3, 页码: 4，214-216,220
作者: 张育胜
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| 硅深槽ICP刻蚀中刻蚀条件对形貌的影响 期刊论文
微电子学, 2009, 卷号: 39, 期号: 5, 页码: 4，729-732
作者: 万里兮 ; 吕垚; 李宝霞
收藏 | 浏览/下载：7/0 | 提交时间：2010/06/01
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| 深槽Ni(Pt)Si/Si肖特基二极管特性研究 期刊论文
固体电子学研究与进展, 2005
张慧; 张利春; 高玉芝; 金海岩
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| ICP硅深槽刻蚀中的线宽控制问题研究 其他
2003-01-01
王成伟; 闫桂珍; 朱泳
收藏 | 浏览/下载：1/0 | 提交时间：2015/11/11
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| ICP硅深槽刻蚀中的线宽控制问题研究 期刊论文
微纳电子技术, 2003
王成伟; 闫桂珍; 朱泳
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