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8T CMOS图像传感器质子辐照效应研究(英文)
期刊论文
原子能科学技术, 2021, 卷号: 55, 期号: 12, 页码: 2128-2134
作者:
傅婧1,2,3
;
李豫东1,2
;
冯婕1,2
;
文林1,2
;
郭旗1,2
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浏览/下载:30/0
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提交时间:2022/01/25
CMOS图像传感器
钳位光电二极管
质子辐照
电离总剂量
位移损伤剂量
变温辐照对双极电压比较器LM2903在不同偏置状态下的单粒子瞬态影响
期刊论文
原子能科学技术, 2019, 卷号: 53, 期号: 6, 页码: 1122-1126
作者:
姚帅
;
陆妩
;
于新
;
李小龙
;
王信
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浏览/下载:34/0
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提交时间:2019/06/21
变温辐照方法
双极电压比较器
电离总剂量
单粒子瞬态
偏置状态
协同效应
正向晶格失配三结GaAs太阳电池辐射效应研究
学位论文
北京: 中国科学院大学, 2017
作者:
李占行
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2017/09/26
晶格失配
位移损伤效应
位移损伤剂量
非电离能损
辐照退化
正向晶格失配三结GaAs太阳电池辐射效应研究
学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2017
作者:
李占行
收藏
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2017/09/26
晶格失配
位移损伤效应
位移损伤剂量
非电离能损
辐照退化
高精度科研辐照平台的建立及辐射场参数测量
期刊论文
2016, 卷号: 7, 期号: 6, 页码: 421-425
作者:
刘志凯
;
刘峡
;
张福泉
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2020/01/04
辐照平台 电离辐射 irradiation platform ionizing radiation
质子、中子、60Co-γ射线辐照对电荷耦合器件饱和输出电压的影响
期刊论文
红外与激光工程, 2015, 卷号: 44, 期号: S1, 页码: 35-40
作者:
汪波
;
文林
;
李豫东
;
郭旗
;
汪朝敏
;
王帆
;
任迪远
;
曾骏哲
;
武大猷
;
郭旗
;
李豫东
收藏
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浏览/下载:74/0
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提交时间:2016/06/02
电荷耦合器件
高能粒子辐照
饱和输出电压
电离总剂量效应
质子辐照导致科学级电荷耦合器件电离效应和位移效应分析
期刊论文
物理学报, 2015, 卷号: 64, 期号: 2, 页码: 257-263
作者:
文林
;
李豫东
;
郭旗
;
任迪远
;
汪波
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2015/03/04
电荷耦合器件
质子辐照
电离效应
位移损伤
质子辐照导致科学级CCD电离和位移损伤及其机理分析
会议论文
中国甘肃兰州, 2014-08-13
作者:
文林
;
李豫东
;
郭旗
;
任迪远
;
汪波
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2018/06/04
Ccd
质子辐照
电离效应
位移损伤
体缺陷
CMOS有源像素图像传感器的电子辐照损伤效应研究
会议论文
中国甘肃兰州, 2014-08-13
作者:
玛丽娅
;
李豫东
;
郭旗
;
刘昌举
;
文林
收藏
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2018/06/05
Cmos有源像素传感器
电子辐照
电离效应
暗电流
氧化物陷阱电荷
界面态缺陷
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