8T CMOS图像传感器质子辐照效应研究（英文）

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	8T CMOS图像传感器质子辐照效应研究（英文）
	傅婧1,2,3 ; 李豫东1,2 ; 冯婕1,2 ; 文林1,2 ; 郭旗1,2
刊名	原子能科学技术
	2021
卷号	55 期号:12 页码:2128-2134
关键词	CMOS图像传感器钳位光电二极管质子辐照电离总剂量位移损伤剂量
ISSN号	1000-6931
英文摘要	本文对新型8T CMOS图像传感器进行了不同能量的质子辐照实验。由于质子辐照后同时引入电离总剂量(TID)效应和位移损伤剂量(DDD)效应,使得器件参数的退化机理复杂。为了具体区分导致不同参数退化的主要因素,采用等效TID法和等效DDD法。实验得出DDD效应主要引起暗电流的退化,而TID效应主要导致光谱响应的退化,实验结果为辐射环境下图像传感器的加固设计提供了理论依据。
CSCD记录号	CSCD:7103808
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/8122]
专题	固体辐射物理研究室
通讯作者	李豫东1,2; 冯婕1,2
作者单位	1.中国科学院大学 2.新疆电子信息材料与器件重点实验室 3.中国科学院新疆理化技术研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	傅婧1,2,3,李豫东1,2,冯婕1,2,等. 8T CMOS图像传感器质子辐照效应研究（英文）[J]. 原子能科学技术,2021,55(12):2128-2134.
APA	傅婧1,2,3,李豫东1,2,冯婕1,2,文林1,2,&郭旗1,2.(2021).8T CMOS图像传感器质子辐照效应研究（英文）.原子能科学技术,55(12),2128-2134.
MLA	傅婧1,2,3,et al."8T CMOS图像传感器质子辐照效应研究（英文）".原子能科学技术 55.12(2021):2128-2134.