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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序作者升序作者降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序 TiN栅及抬高源漏的薄膜全耗尽SOI CMOS器件的模拟研究 期刊论文 微电子学, 2005, 卷号: 35, 期号: 1, 页码: 4，44-46,50 作者:  连军;  海潮和 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/05/26 Fdsoi  Cmos  中间禁带功函数  抬高源漏结构