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山东大学 [2]
大连理工大学 [1]
上海技术物理研究所 [1]
内容类型
学位论文 [2]
期刊论文 [2]
发表日期
2015 [1]
2010 [2]
2005 [1]
学科主题
红外探测材料与器件 [1]
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干法刻蚀辅助型GaN MOSFET的器件工艺及电学特性研究
学位论文
: 大连理工大学, 2015
作者:
王青鹏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/12/09
氮化镓
MOSFET
非合金欧姆接触
干法刻蚀损伤
先栅工艺
InP/InGaAsP异质结ICP刻蚀表面损伤(英文)
期刊论文
功能材料与器件学报, 2010, 期号: 03, 页码: 243-248
作者:
董雷
;
张瑞康
;
江山
;
赵圣之
;
刘水华
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2019/12/26
等离子体刻蚀
干法刻蚀损伤
感应耦合等离子体
光荧光
InP/InGaAsP舁质结ICP刻蚀表面损伤
期刊论文
功能材料与器件学报, 2010, 卷号: 16, 期号: 3, 页码: 243-248
作者:
Dong,Lei
;
Zhang,Ruikang
;
Jiang,Shan
;
Zhao,Shengzhi
;
Liu,Shuihua
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  |  
浏览/下载:4/0
  |  
提交时间:2019/12/26
等离子体刻蚀
干法刻蚀损伤
感应耦合等离子体
光荧光
集成HgCdTe双色探测芯片技术研究
学位论文
: 中国科学院研究生院, 2005
作者:
叶振华
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2012/07/11
Hgcdte
双色探测器
能带结构
干法刻蚀
刻蚀损伤
倒装芯片回流焊
响应光谱
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