InP/InGaAsP舁质结ICP刻蚀表面损伤 | |
Dong,Lei; Zhang,Ruikang; Jiang,Shan; Zhao,Shengzhi; Liu,Shuihua | |
刊名 | 功能材料与器件学报
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2010 | |
卷号 | 16期号:3页码:243-248 |
关键词 | 等离子体刻蚀 干法刻蚀损伤 感应耦合等离子体 光荧光 |
DOI | 10.3969/j.issn.1007-4252.2010.03.009 |
URL标识 | 查看原文 |
内容类型 | 期刊论文 |
URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/5508621 |
专题 | 山东大学 |
作者单位 | 1.山东大学信息科学与工程学院, 济南, 山东 250100, 中国. 2.山东大学信息科学与工程学院, 济南, 山东 250100, 中国. 3.武汉光迅科技公司, 武 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | Dong,Lei,Zhang,Ruikang,Jiang,Shan,等. InP/InGaAsP舁质结ICP刻蚀表面损伤[J]. 功能材料与器件学报,2010,16(3):243-248. |
APA | Dong,Lei,Zhang,Ruikang,Jiang,Shan,Zhao,Shengzhi,&Liu,Shuihua.(2010).InP/InGaAsP舁质结ICP刻蚀表面损伤.功能材料与器件学报,16(3),243-248. |
MLA | Dong,Lei,et al."InP/InGaAsP舁质结ICP刻蚀表面损伤".功能材料与器件学报 16.3(2010):243-248. |
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