CORC  > 山东大学
InP/InGaAsP舁质结ICP刻蚀表面损伤
Dong,Lei; Zhang,Ruikang; Jiang,Shan; Zhao,Shengzhi; Liu,Shuihua
刊名功能材料与器件学报
2010
卷号16期号:3页码:243-248
关键词等离子体刻蚀 干法刻蚀损伤 感应耦合等离子体 光荧光
DOI10.3969/j.issn.1007-4252.2010.03.009
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内容类型期刊论文
URI标识http://www.corc.org.cn/handle/1471x/5508621
专题山东大学
作者单位1.山东大学信息科学与工程学院, 济南, 山东 250100, 中国.
2.山东大学信息科学与工程学院, 济南, 山东 250100, 中国.
3.武汉光迅科技公司, 武
推荐引用方式
GB/T 7714
Dong,Lei,Zhang,Ruikang,Jiang,Shan,等. InP/InGaAsP舁质结ICP刻蚀表面损伤[J]. 功能材料与器件学报,2010,16(3):243-248.
APA Dong,Lei,Zhang,Ruikang,Jiang,Shan,Zhao,Shengzhi,&Liu,Shuihua.(2010).InP/InGaAsP舁质结ICP刻蚀表面损伤.功能材料与器件学报,16(3),243-248.
MLA Dong,Lei,et al."InP/InGaAsP舁质结ICP刻蚀表面损伤".功能材料与器件学报 16.3(2010):243-248.
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