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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 一种新型硅基衬底半绝缘结构的研究 期刊论文 2016, 卷号: 41, 期号: 10, 页码: 740-745 作者:  马奎;  杨发顺 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2020/01/02 半绝缘  纵向器件  多次外延  多次选择性掺杂  介质隔离槽   SOI器件总剂量辐射效应研究进展 会议论文 第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会, 2009 俞文杰; 张正选; 田浩; 王茹; 毕大伟; 陈明; 张帅; 刘张李 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2012/01/18 绝缘体上硅 总剂量辐射效应 全介质隔离 抗辐射集成电路 埋氧化层   ESR研究介质隔离K_3分子动态Jahn-Teller效应的隧穿过程 其他 2005-01-01 陈志达 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2015/10/24 Jahn-Teller  ESR  K_3  势阱  介质隔离  电子运动  超精细结构  不对称  谱线形状  三聚   介质隔离横向高压p-i-n器件的击穿特性 期刊论文 上海大学学报(自然科学版), 2001, 卷号: 7, 页码: 109-112 作者:  洪垣[1] 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/05/11 高压p-i-n器件  介质隔离  厚膜BESOI  击穿电压