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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序作者升序作者降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序 一种用于提取LDD结构n-MOSFET热载流子应力下界面陷阱产生的改进方法 期刊论文 半导体学报, 2003 杨国勇; 毛凌锋; 王金延; 霍宗亮; 王子欧; 许铭真; 谭长华 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2015/10/23 热载流子应力  LDD结构  超薄栅氧化层  两步退化机制  hot-carrier stress  LDD  ultra-thin gate oxide  two-step degradation