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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序作者升序作者降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序 Highly Transparent Bipolar Resistive Switching Memory in Zr0.5Hf0.5O2 Films With Amorphous Semiconducting In-Ga-Zn-O as Electrode 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2015, 卷号: 62, 期号: 10, 页码: 3244-3249 作者:  Yan, Xiaobing[1];  Zhang, Erpeng[2];  Hao, Hua[3];  Chen, Yingfang[4];  Bai, Gang[5] 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/12/21 Relaxation behavior  resistive switching (RS) mechanism  transparent resistive random access memory (TRRAM)  Zr0.5Hf0.5O2   Self-rectifying performance in the sandwiched structure of Ag/In-Ga-Zn-O/Pt bipolar resistive switching memory 期刊论文 NANOSCALE RESEARCH LETTERS, 2014, 卷号: 9, 期号: 1, 页码: 548 作者:  Yan, Xiaobing[1];  Hao, Hua[2];  Chen, Yingfang[3];  Shi, Shoushan[4];  Zhang, Erpeng[5] 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/21 Resistive switching  Self-rectifying  Schottky barrier