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长春光学精密机械与物... [5]
内容类型
期刊论文 [5]
发表日期
2019 [5]
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Enhancing thermal properties of few-layer boron nitride by high-k Al2O3 capping layer
期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2019, 卷号: 797, 页码: 262-268
作者:
Y.X.Chen
;
K.L.Li
;
Z.W.Li
;
S.Q.Hu
;
X.J.Sun
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提交时间:2020/08/24
Boron nitride,Thermal conductivity,Raman spectroscopy,graphene,conductivity,deposition,nanosheets
Van der Waals Epitaxy: A new way for growth of III-nitrides
期刊论文
Science China-Technological Sciences, 2019, 卷号: 63, 期号: 3, 页码: 528-530
作者:
Y.Chen
;
Y.P.Jia
;
Z.M.Shi
;
X.J.Sun
;
D.B.Li
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提交时间:2020/08/24
gan,layer,aln,Engineering,Materials Science
Suppressing the compositional non-uniformity of AlGaN grown on a HVPE-AlN template with large macro-steps
期刊论文
Crystengcomm, 2019, 卷号: 21, 期号: 33, 页码: 4864-4873
作者:
K.Jiang
;
X.J.Sun
;
J.W.Ben
;
Z.M.Shi
;
Y.P.Jia
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提交时间:2020/08/24
potential fluctuations,gan films,alxga1-xn,sapphire,quality,localization,relaxation,inversion
Modified band alignment at multilayer MoS2/Al2O3 heterojunctions by nitridation treatment
期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2019, 卷号: 793, 页码: 599-603
作者:
X.K.Liu
;
K.L.Li
;
X.J.Sun
;
Z.M.Shi
;
Z.H.Huang
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提交时间:2020/08/24
Multilayer MoS2,Al2O3 surface,NH3 treatment,Band alignment,field-effect transistor,layer mos2,Chemistry,Materials Science,Metallurgy & Metallurgical Engineering
Construction of van der Waals substrates for largely mismatched heteroepitaxy systems using first principles
期刊论文
Science China-Physics Mechanics & Astronomy, 2019, 卷号: 62, 期号: 12, 页码: 7
作者:
Z.M.Shi
;
X.J.Sun
;
Y.P.Jia
;
X.K.Liu
;
S.L.Zhang
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提交时间:2020/08/24
van der Waals epitaxy,2D materials,first principles,light-emitting-diodes,phase epitaxy growth,algan/gan hemts,boron-nitride,gan,graphene,layer,nanosheets,crystals,semiconductor,Physics
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