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Method of controlling dopant incorporation in high resistivity In-based compound Group III-V epitaxial layers 专利
专利号: US4999315, 申请日期: 1991-03-12, 公开日期: 1991-03-12
作者:  JOHNSTON, JR., WILBUR D.;  KARLICEK, JR., ROBERT F.;  LONG, JUDITH A.;  WILT, DANIEL P.
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Preservation of surface features on semiconductor surfaces 专利
专利号: US4902644, 申请日期: 1990-02-20, 公开日期: 1990-02-20
作者:  WILT, DANIEL P.
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Semiconductor devices employing high resistivity in-based compound group III-IV epitaxial layer for current confinement 专利
专利号: US4888624, 申请日期: 1989-12-19, 公开日期: 1989-12-19
作者:  JOHNSTON, JR., WILBUR D.;  KARLICEK, JR., ROBERT F.;  LONG, JUDITH A.;  WILT, DANIEL P.
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Preservation of surface features on semiconductor surfaces 专利
专利号: US4805178, 申请日期: 1989-02-14, 公开日期: 1989-02-14
作者:  WILT, DANIEL P.
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Method of making a nonplanar buried-heterostructure distributed-feedback laser 专利
专利号: US4701995, 申请日期: 1987-10-27, 公开日期: 1987-10-27
作者:  DOLAN, GERALD J.;  LOGAN, RALPH A.;  TEMKIN, HENRYK;  WILT, DANIEL P.
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