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科研机构
西安光学精密机械研究... [5]
内容类型
专利 [5]
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1991 [1]
1990 [1]
1989 [2]
1987 [1]
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Method of controlling dopant incorporation in high resistivity In-based compound Group III-V epitaxial layers
专利
专利号: US4999315, 申请日期: 1991-03-12, 公开日期: 1991-03-12
作者:
JOHNSTON, JR., WILBUR D.
;
KARLICEK, JR., ROBERT F.
;
LONG, JUDITH A.
;
WILT, DANIEL P.
收藏
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2019/12/26
Preservation of surface features on semiconductor surfaces
专利
专利号: US4902644, 申请日期: 1990-02-20, 公开日期: 1990-02-20
作者:
WILT, DANIEL P.
收藏
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2020/01/18
Semiconductor devices employing high resistivity in-based compound group III-IV epitaxial layer for current confinement
专利
专利号: US4888624, 申请日期: 1989-12-19, 公开日期: 1989-12-19
作者:
JOHNSTON, JR., WILBUR D.
;
KARLICEK, JR., ROBERT F.
;
LONG, JUDITH A.
;
WILT, DANIEL P.
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2019/12/26
Preservation of surface features on semiconductor surfaces
专利
专利号: US4805178, 申请日期: 1989-02-14, 公开日期: 1989-02-14
作者:
WILT, DANIEL P.
收藏
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2019/12/26
Method of making a nonplanar buried-heterostructure distributed-feedback laser
专利
专利号: US4701995, 申请日期: 1987-10-27, 公开日期: 1987-10-27
作者:
DOLAN, GERALD J.
;
LOGAN, RALPH A.
;
TEMKIN, HENRYK
;
WILT, DANIEL P.
收藏
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2019/12/26
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