QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Fully- and Quasi-Vertical GaN-on-Si p-i-n Diodes: High Performance and Comprehensive Comparison 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2017, 卷号: 64, 页码: 809-815 作者:  Zhang, Xu;  Zou, Xinbo;  Lu, Xing;  Tang, Chak Wah;  Lau, Kei May 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/11/26 GaN-on-Si  power switching  high breakdown voltage  low ON-resistance  fully-vertical p-i-n diodes  Baliga figure of merit (FOM)  quasi-vertical diodes   Investigation of In Situ SiN as Gate Dielectric and Surface Passivation for GaN MISHEMTs 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2017, 卷号: 64, 页码: 832-839 作者:  Jiang, Huaxing;  Liu, Chao;  Chen, Yuying;  Lu, Xing;  Tang, Chak Wah 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/11/26 thermal stability  passivation  GaN  threshold voltage  in situ SiN  gate dielectric   Breakdown Ruggedness of Quasi-Vertical GaN-Based p-i-n Diodes on Si Substrates 期刊论文 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2016, 卷号: 37, 期号: [db:dc_citation_issue], 页码: 1158-1161 作者:  Zou, Xinbo;  Zhang, Xu;  Lu, Xing;  Tang, Chak Wah;  Lau, Kei May 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/02 GaN-on-Si  p-i-n diodes  breakdown ruggedness  rectifiers   Fully Vertical GaN p-i-n Diodes Using GaN-on-Si Epilayers 期刊论文 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2016, 卷号: 37, 期号: [db:dc_citation_issue], 页码: 636-639 作者:  Zou, Xinbo;  Zhang, Xu;  Lu, Xing;  Tang, Chak Wah;  Lau, Kei May 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/02 GaN-on-Si  p-i-n diodes  Si removal  vertical devices  power electronics  rectifiers   Meta-analysis Followed by Replication Identifies Loci in or near CDKN1B, TET3, CD80, DRAM1, and ARID5B as Associated with Systemic Lupus Erythematosus in Asians 期刊论文 The American Journal of Human Genetics, 2013, 卷号: 92, 期号: 1, 页码: 41-51 作者:  Yang, Wanling;  Tang, Huayang;  Zhang, Yan;  Tang, Xianfa;  Zhang, Jing 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/03