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Heavily carbon doped p-type GaAs/InxGa1-xAs strained-layer superlattices grown by MOMBE 期刊论文
Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors, 1993, 卷号: 14, 期号: 8, 页码: 462-467
作者:  Qi, Ming;  Luo, Jinsheng;  Shirakashi, J.;  Yamada, T.;  Nozaki, S.
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