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山东大学 [1]
内容类型
期刊论文 [1]
发表日期
2019 [1]
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Thermal Atomic Layer Deposition of Device-Quality SiO2 Thin Films under 100 °c Using an Aminodisilane Precursor
期刊论文
Chemistry of Materials, 2019, 卷号: 31, 期号: 15, 页码: 5502-5508
作者:
Kim, Dae Hyun
;
Lee, Han Jin
;
Jeong, Heonjong
;
Shong, Bonggeun
;
Kim, Woo-Hee
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提交时间:2019/12/11
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