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Effect of temperature on photoresponse properties of solar-blind Schottky barrier diode photodetector based on single crystal Ga2O3
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2019, 卷号: 28
作者:
Yang, Chao
;
Liang, Hongwei
;
Zhang, Zhenzhong
;
Xia, Xiaochuan
;
Zhang, Heqiu
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2019/12/02
Ga2O3 single crystal
solar-blind
photodetector
high temperature
Concentration effect on up-conversion luminescence and excitation path-dependent luminescence temperature quenching in YNbO4:Ho3+/Yb3+ phosphors
期刊论文
SPECTROCHIMICA ACTA PART A-MOLECULAR AND BIOMOLECULAR SPECTROSCOPY, 2019, 卷号: 217, 页码: 107-112
作者:
Wang, Xin
;
Li, Xiangping
;
Shen, Rensheng
;
Xu, Sai
;
Cheng, Lihong
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2019/12/02
YNbO4:Ho3+/Yb3+ phosphors
Up-conversion luminescence
Thermal quenching
Sol-gel auto-combustion preparation and photoluminescence properties of Er3+-doped K2La2Ti3O10 phosphors with superior thermal luminescence stability
期刊论文
COLLOIDS AND SURFACES A-PHYSICOCHEMICAL AND ENGINEERING ASPECTS, 2019, 卷号: 578
作者:
Li, Xiangping
;
Tian, Yu
;
Shen, Rensheng
;
Li, Xuejing
;
Xu, Sai
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2019/12/02
Sol-gel auto-combustion synthesis
Phosphor
Photoluminescence
Thermal luminescence quenching
Temperature sensing
Self-powered SBD solar-blind photodetector fabricated on the single crystal of beta-Ga2O3
期刊论文
RSC ADVANCES, 2018, 卷号: 8, 页码: 6341-6345
作者:
Yang, Chao
;
Liang, Hongwei
;
Zhang, Zhenzhong
;
Xia, Xiaochuan
;
Tao, Pengcheng
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2019/12/02
High-temperature performance of gallium-nitride-based pin alpha-particle detectors grown on sapphire substrates
期刊论文
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION A-ACCELERATORS SPECTROMETERS DETECTORS AND ASSOCIATED EQUIPMENT, 2018, 卷号: 893, 页码: 39-42
作者:
Zhu, Zhifu
;
Zhang, Heqiu
;
Liang, Hongwei
;
Tang, Bin
;
Peng, Xincun
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2019/12/02
High temperature
GaN
pin
Alpha particle
Detector
Synthesis of GaN network by nitridation of hexagonal epsilon-Ga2O3 film
期刊论文
JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2017, 卷号: 28, 页码: 2598-2601
作者:
Xia, Xiaochuan
;
Liang, Hongwei
;
Geng, Xinlei
;
Chen, Yuanpeng
;
Yang, Chao
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2019/12/02
Indium Incorporation Induced Morphological Evolution and Strain Relaxation of High Indium Content InGaN Epilayers Grown by Metal-Organic Chemical Vapor Deposition
期刊论文
CRYSTAL GROWTH & DESIGN, 2017, 卷号: 17, 页码: 3411-3418
作者:
Liu, Jianxun
;
Liang, Hongwei
;
Xia, Xiaochuan
;
Liu, Yang
;
Liu, Jun
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2019/12/02
Strain and microstructures of GaN epilayers with thick InGaN interlayer grown by MOCVD
期刊论文
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2017, 卷号: 60, 页码: 66-70
作者:
Liu, Jianxun
;
Liang, Hongwei
;
Liu, Yang
;
Xia, Xiaochuan
;
Huang, Huolin
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2019/12/02
GaN
InGaN interlayer
Strain
Microstructure
Degradation Mechanism of Crystalline Quality and Luminescence in In0.42Ga0.58N/GaN Double Heterostructures with Porous InGaN Layer
期刊论文
JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C, 2017, 卷号: 121, 页码: 18095-18101
作者:
Liu, Jianxun
;
Liang, Hongwei
;
Zheng, Xiantong
;
Liu, Yang
;
Xia, Xiaochuan
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2019/12/09
Unintentionally doped high resistivity GaN layers with an InGaN interlayer grown by MOCVD
期刊论文
RSC ADVANCES, 2016, 卷号: 6, 页码: 60068-60073
作者:
Liu, Jianxun
;
Liang, Hongwei
;
Li, Binghui
;
Liu, Yang
;
Xia, Xiaochuan
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2019/12/09
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