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科研机构
半导体研究所 [12]
内容类型
期刊论文 [12]
发表日期
2003 [2]
2000 [5]
1998 [2]
1994 [1]
1993 [1]
1992 [1]
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Photoluminescence of mg-doped gan grown by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
Journal of vacuum science & technology a, 2003, 卷号: 21, 期号: 4, 页码: 838-841
作者:
Qu, BZ
;
Zhu, QS
;
Sun, XH
;
Wan, SK
;
Wang, ZG
收藏
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浏览/下载：24/0
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提交时间：2019/05/12
Photoluminescence of Mg-doped GaN grown by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
journal of vacuum science & technology a, 2003, 卷号: 21, 期号: 4, 页码: 838-841
Qu BZ
;
Zhu QS
;
Sun XH
;
Wan SK
;
Wang ZG
;
Nagai H
;
Kawaguchi Y
;
Hiramatsu K
;
Sawaki N
收藏
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浏览/下载：293/4
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提交时间：2010/08/12
P-TYPE GAN
LIGHT-EMITTING-DIODES
LOCALIZED EXCITONS
GALLIUM NITRIDE
FILMS
DEFECTS
LUMINESCENCE
COMPENSATION
SPECTROSCOPY
ACCEPTORS
Cathodoluminescence on gan hexagonal pyramids on submicron dot-patterns via selective movpe
期刊论文
Applied surface science, 2000, 卷号: 167, 期号: 3-4, 页码: 149-151
作者:
Zhu, QS
;
Matsushima, H
;
Hiramatsu, K
;
Sawaki, N
收藏
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浏览/下载：20/0
|
提交时间：2019/05/12
Nitrogen vacancy scattering in n-gan grown by metal-organic vapor phase epitaxy
期刊论文
Applied physics letters, 2000, 卷号: 76, 期号: 12, 页码: 1594-1596
作者:
Zhu, QS
;
Sawaki, N
收藏
|
浏览/下载：20/0
|
提交时间：2019/05/12
Nitrogen vacancy scattering in n-GaN grown by metal-organic vapor phase epitaxy
期刊论文
applied physics letters, 2000, 卷号: 76, 期号: 12, 页码: 1594-1596
Zhu QS
;
Sawaki N
收藏
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浏览/下载：54/0
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提交时间：2010/08/12
LAYER
Effect of thermal annealing on hole trap levels in Mg-doped GaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy
期刊论文
journal of vacuum science & technology a, 2000, 卷号: 18, 期号: 1, 页码: 261-267
Zhu QS
;
Nagai H
;
Kawaguchi Y
;
Hiramatsu K
;
Sawaki N
收藏
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浏览/下载：64/0
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提交时间：2010/08/12
P-TYPE GAN
DEEP LEVELS
Cathodoluminescence on GaN hexagonal pyramids on submicron dot-patterns via selective MOVPE
期刊论文
applied surface science, 2000, 卷号: 167, 期号: 3-4, 页码: 149-151
Zhu QS
;
Matsushima H
;
Hiramatsu K
;
Sawaki N
收藏
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浏览/下载：47/0
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提交时间：2010/08/12
CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION
AIN BUFFER LAYER
GROWTH
FACETS
WIRES
MOCVD
Hole trap levels in mg-doped gan grown by metalorganic vapor phase epitaxy
期刊论文
Applied physics letters, 1998, 卷号: 73, 期号: 14, 页码: 2024-2026
作者:
Nagai, H
;
Zhu, QS
;
Kawaguchi, Y
;
Hiramatsu, K
;
Sawaki, N
收藏
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浏览/下载：18/0
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提交时间：2019/05/12
Hole trap levels in Mg-doped GaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy
期刊论文
applied physics letters, 1998, 卷号: 73, 期号: 14, 页码: 2024-2026
Nagai H
;
Zhu QS
;
Kawaguchi Y
;
Hiramatsu K
;
Sawaki N
收藏
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浏览/下载：31/0
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提交时间：2010/08/12
P-TYPE GAN
DEEP LEVELS
DEEP CENTER SCATTERING POTENTIAL IN INGAP
期刊论文
journal of applied physics, 1994, 卷号: 76, 期号: 11, 页码: 7410-7414
ZHU QS
;
HIRAMATSU K
;
SAWAKI N
;
AKASAKI I
;
LIU XN
收藏
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浏览/下载：15/0
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提交时间：2010/11/15
SEMICONDUCTORS
DEFECTS
VACANCY
SILICON
LEVEL
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