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Effect of light Si-doping on the near-band-edge emissions in high quality GaN 期刊论文
Journal of Applied Physics, 2012, 卷号: 112, 期号: 5
作者:  S. M. Zhang(张书明);  H. Yang(杨辉)
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Thermal characterization of GaN-based laser diodes by forward-voltage method 期刊论文
Journal of Applied Physics, 2012, 卷号: 111, 期号: 9, 页码: 094513
作者:  H. B. Wang(王怀兵);  J. P. Liu(刘建平);  S. M. Zhang(张书明);  H. Yang(杨辉)
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