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苏州纳米技术与纳米仿... [2]
内容类型
期刊论文 [2]
发表日期
2012 [2]
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Effect of light Si-doping on the near-band-edge emissions in high quality GaN
期刊论文
Journal of Applied Physics, 2012, 卷号: 112, 期号: 5
作者:
S. M. Zhang(张书明)
;
H. Yang(杨辉)
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提交时间:2013/01/22
Thermal characterization of GaN-based laser diodes by forward-voltage method
期刊论文
Journal of Applied Physics, 2012, 卷号: 111, 期号: 9, 页码: 094513
作者:
H. B. Wang(王怀兵)
;
J. P. Liu(刘建平)
;
S. M. Zhang(张书明)
;
H. Yang(杨辉)
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提交时间:2013/01/16
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