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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序作者升序作者降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序 Database Resources of the BIG Data Center in 2019. 期刊论文 Nucleic Acids Research, 2019, 卷号: Vol.47 D1, 页码: D8-D14 作者:  Zhang, Z.a,b,c,d;  Zhao, W.a,b,c,d;  Xiao, J.a,b,c,d;  Bao, Y.a,b,c,d;  Wang, F.a,b 收藏  |  浏览/下载：69/0  |  提交时间：2019/11/21 Controlled synthesis of polydopamine: A new strategy for highly sensitive fluorescence turn-on detection of acetylcholinesterase activity. 期刊论文 Mikrochimica Acta, 2018, 卷号: Vol.185 No.2, 页码: 132 作者:  Yang, M.a,b;  Zhou, H.a;  Zhang, Y.a,c;  Hu, Z.a,b;  Niu, N.a,b 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/11/21 A Novel Evaluation Method for the Particles Interaction between Sphalerite and Silica 期刊论文 Separation Science and Technology, 2014, 卷号: Vol.49 No.8 作者:  Ren, H.a;  Ren, M.b;  Li, Z.a;  Ning, J.a;  Song, G.a 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/11/21 Fabrication and properties for white LED with InGaNSQW 期刊论文 Light-Emitting Diode Materials and Devices, 2005, 卷号: Vol.5632, 页码: 262-266 作者:  Li, Z.a,c,d;  Yang, Z.b;  Ding, X.b;  Zhang, G.b;  Feng, Y.a 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/11/21 InGaN  YAG : Ce3+  LED   Properties of InGaN violet-LED structure 期刊论文 FIFTH INTERNATIONAL CONFERENCE ON THIN FILM PHYSICS AND APPLICATIONS, 2004, 卷号: Vol.5774, 页码: 381-384 作者:  Li, Z.a,b,d;  Yang, Z.c;  Yu, T.c;  Zhang, G.c;  Feng, Y.a 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/11/21 InGaN  quantum well  MOCVD  LED   An Experimental Analysis of Residual Stress Measurements inPorous Silicon Using Micro-Raman Spectroscopy 期刊论文 Chinese Physics Letters, 2004, 卷号: Vol.21 No.2 作者:  Lei, Z.-K.a;  Kang, Y.-L.a;  Hu, M.b;  Qiu, Y.Yua;  Xu, H.a 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/11/21 Apparent positive resistance and temperature effect on I-V characteristics of RTD 期刊论文 DEVICE AND PROCESS TECHNOLOGIES FOR MEMS, MICROELECTRONICS, AND PHOTONICS III, 2004, 卷号: Vol.5276, 页码: 408-413 作者:  Miao, C.a;  Quo, W.b;  Niu, P.a;  Liu, H.a;  Li, H.a 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/11/21 resonant tunneling diodes  negative resistance I-V characteristics  bistability   High-power Al-free SCH-SQW lasers grown by LPE 期刊论文 SEMICONDUCTOR LASERS AND APPLICATIONS II, 2004, 卷号: Vol.5628, 页码: 223-227 作者:  Li, Z.a,b,c;  Wang, L.c;  Yang, J.c;  Niu, H.a 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/11/21 liquid phase epitaxy  single quantum-well  lasers