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会议论文 [1]
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Investigating Company’s Technical Development Directions Based on Internal Knowledge Inheritance and Inventor Capabilities: The Case of Samsung Electronics
期刊论文
Sustainability, 2022, 卷号: 14, 期号: 5, 页码: 3117
作者:
Han F(韩芳)
;
Yoon, Sejun
;
Raghavan, Nagarajan
;
Park, Hyunseok
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浏览/下载:69/0
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提交时间:2022/03/18
Knowledge Persistence
Main Path Analysis
Social Network Analysis
Corporate Technology Strategy
Technology Forecasting
Recommended Methods to Study Resistive Switching Devices
期刊论文
ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS, 2019, 卷号: 5, 期号: 1
作者:
Lanza, Mario
;
Wong, H-S Philip
;
Pop, Eric
;
Ielmini, Daniele
;
Strukov, Dimitri
收藏
  |  
浏览/下载:99/0
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提交时间:2019/12/18
HEXAGONAL BORON-NITRIDE
ALIGNED CARBON NANOTUBES
SPICE COMPACT MODEL
NONVOLATILE MEMORY
RRAM DEVICES
THIN-FILM
DIELECTRIC-BREAKDOWN
MEMRISTIVE BEHAVIOR
PHYSICAL MODEL
NANOSCALE
Atomic Scale Modulation of Self-Rectifying Resistive Switching by Interfacial Defects
期刊论文
Advavced Science, 2018
作者:
xing wu
;
kaihao yu
;
Dongkyu cha
;
Michel Bosman
;
Nagarajan Raghavan
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2019/04/10
Using post-breakdown conduction study in a MIS structure to better understand the resistive switching mechanism in an MIM stack
期刊论文
nanotechnology, 2011
Wu, Xing
;
Pey, Kin-Leong
;
Raghavan, Nagarajan
;
Liu, Wen-Hu
;
Li, Xiang
;
Bai, Ping
;
Zhang, Gang
;
Bosman, Michel
收藏
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2015/11/16
TRANSITION-METAL OXIDES
DIELECTRIC-BREAKDOWN
SILICON DIOXIDE
THIN-FILMS
MEMORY
RELIABILITY
NANOFILAMENTS
FABRICATION
DEVICES
LAYERS
Fast response CdS-CdSxTe1-x-CdTe core-shell nanobelt photodetector
会议论文
SCIENCE BULLETIN, 1118-1124, 2018
作者:
Tang, Mingwei
;
Xu, Pengfei
;
Wen, Zhong
;
Chen, Xing
;
Pang, Chenlei
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提交时间:2019/12/25
CdS-CdSxTe1-x-CdTe
Core-shell
Photodetector
Fast
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