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An Extraordinary Sulfonated-Graphenal-Polymer-Based Electrolyte Separator for All-Solid-State Supercapacitors
期刊论文
SMALL, 2016, 卷号: 12, 期号: 36
作者:
Liu, XB(刘旭博)
;
Men, CL
;
Zhang, XH(张骁骅)
;
Li, QW(李清文)
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2017/03/11
Fabrication of high quality GaAs-on-insulator via ion-cut of epitaxial GaAs/Ge heterostructure
期刊论文
APPLIED SURFACE SCIENCE, 2015, 卷号: 346, 页码: 46-49
作者:
Chang, YW
;
Zhang, M
;
Deng, C
;
Men, CL
;
Chen, D
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2017/01/13
GaAs-on-insulator
MBE
Ion-cut
Selective chemical etching
Characterization of bonded silicon-on-aluminum-nitride wafers with RBS, TEM and HRXRD techniques
期刊论文
MICROELECTRONIC ENGINEERING, 2008, 卷号: 85, 期号: 8, 页码: 1807-1810
Men, CL
;
Lin, CL
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2012/03/24
BEAM-ENHANCED DEPOSITION
ALN THIN-FILMS
A comparison of pulsed-laser-deposited and ion-beam-enhanced-deposited AlN thin films for SOI application
期刊论文
MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, 2006, 卷号: 133, 期号: 1-3, 页码: 124-128
Men, CL
;
Lin, CL
收藏
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2012/03/24
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
EPITAXIAL-GROWTH
ALUMINUM NITRIDE
ELECTRICAL-PROPERTIES
SILICON
INSULATOR
TEMPERATURE
FABRICATION
SI(111)
AIN
Electrical properties of AlN thin films prepared by ion beam enhanced deposition
期刊论文
SURFACE & COATINGS TECHNOLOGY, 2005, 卷号: 196, 期号: 1-3, 页码: 130-134
An, ZG
;
Men, CL
;
Xu, ZK
;
Chu, PK
;
Lin, CL
收藏
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2012/03/24
INSULATOR
TEMPERATURE
FABRICATION
AIN
Oxygen profile engineering in silicon by germanium addition and high-temperature annealing
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2003, 卷号: 83, 期号: 2, 页码: 305-307
An, ZH
;
Chu, PK
;
Zhang, M
;
Men, CL
;
Lin, CL
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2012/03/24
ION-IMPLANTATION
SI/SIO2 SUPERLATTICE
SI
Fabrication of silicon-on-insulator-multilayer structure by epitaxial layer transfer
期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2003, 卷号: 52, 期号: 1, 页码: 207-210
Xie, XY
;
Lin, Q
;
Men, CL
;
Liu, WL
;
Xu, AH
;
Lin, CL
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2012/03/24
Characteristics and polarization-enhanced model of wurtzite aluminum nitride thin films synthesized on Si(100) substrates by pulsed laser deposition
期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2003, 卷号: 94, 期号: 3, 页码: 1934-1940
An, ZH
;
Men, CL
;
Yu, J
;
Chu, PK
;
Lin, CL
收藏
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2012/03/24
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
EPITAXIAL-GROWTH
ALN FILMS
ROOM-TEMPERATURE
A1N FILMS
SAPPHIRE
HETEROSTRUCTURES
MORPHOLOGY
ABLATION
SI(111)
Nanoscale silicon prepared on different substrates using electron-beam evaporation and their field-emission property
期刊论文
APPLIED SURFACE SCIENCE, 2003, 卷号: 217, 期号: 1-4, 页码: 39-42
Xie, XY
;
Wan, Q
;
Liu, WL
;
Men, CL
;
Lin, Q
;
Lin, CL
收藏
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2012/03/24
PHOTOLUMINESCENCE
Fabrication of silicon-on-insulator-multilayer structure by epitaxial layer transfer
期刊论文
PHYSICA B-CONDENSED MATTER, 2003, 卷号: 336, 期号: 3-4, 页码: 344-348
Xie, XY
;
Liu, WL
;
Lin, Q
;
Men, CL
;
Lin, CL
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2012/03/24
ION-BEAM SYNTHESIS
NITRIDE
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