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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序作者升序作者降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序 Selective growth of fully relaxed GeSn nano-islands by nanoheteroepitaxy on patterned Si(001) 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2016, 卷号: 109, 期号: [db:dc_citation_issue] 作者:  Schlykow, V.;  Klesse, W. M.;  Niu, G.;  Taoka, N.;  Yamamoto, Y. 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/02