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西安光学精密机械研究... [5]
内容类型
专利 [5]
发表日期
2011 [1]
2005 [1]
1997 [2]
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Group III nitride compound semiconductor on silicon and an epitaxial method of manufacturing the same
专利
专利号: EP1054442B1, 申请日期: 2011-11-30, 公开日期: 2011-11-30
作者:
KOIDE, NORIKATSU
;
KATO, HISAKI
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2019/12/26
Semiconductor laser device and fabrication method thereof
专利
专利号: US6888867, 申请日期: 2005-05-03, 公开日期: 2005-05-03
作者:
SAWAKI, NOBUHIKO
;
HONDA, YOSHIO
;
KAMESHIRO, NORIFUMI
;
YAMAGUCHI, MASAHITO
;
KOIDE, NORIKATSU
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2020/01/18
Method of manufacturing a semiconductor device that uses a sapphire substrate
专利
专利号: US5627109, 申请日期: 1997-05-06, 公开日期: 1997-05-06
作者:
SASSA, MICHINARI
;
KOIDE, NORIKATSU
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2019/12/26
Group III nitride compound semiconductor laser diode and method for producing same
专利
专利号: US5604763, 申请日期: 1997-02-18, 公开日期: 1997-02-18
作者:
KATO, HISAKI
;
KOIDE, NORIKATSU
;
KOIKE, MASAYOSHI
;
AKASAKI, ISAMU
;
AMANO, HIROSHI
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2019/12/26
Method for manufacturing gallium nitride compound semiconductor
专利
专利号: US20040079958A1, 公开日期: 2004-04-29
作者:
KOIDE, NORIKATSU
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2019/12/26
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