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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序作者升序作者降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序 InP-to-InGaAs interfacial strain grown by using tertiarybutylarsine and tertiarybutylphosphine 期刊论文 中国科学A辑（英文版）, 2002, 卷号: 45, 期号: 5, 页码: 655-660 作者:  Xu XG(徐现刚);  Cui DL(崔得良);  Tang Z(唐喆);  Hao XP(郝霄鹏);  K.Heime 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2020/01/14 MOVPE  InGaAs/InP  strain  TBAs  TBP   InGaAs/InP异质结界面层的应变研究 期刊论文 中国科学(A辑), 2001, 期号: 09, 页码: 817-822 作者:  徐现刚,崔得良,唐喆,郝霄鹏,K.Heime 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2020/01/14 MOVPE  InGaAs/InP  界面应变  TBAs  TBP   InGaAs/InP异质结界面层的应变研究 期刊论文 中国科学. A辑, 数学, 2001, 卷号: 31, 期号: 9 作者:  徐现刚;  崔得良;  唐？;  郝霄鹏;  K.Heime 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2020/01/14 界面应变   非共晶Au/Ge欧姆接触工艺改善扩散法n沟道GaAs MESFET 期刊论文 半导体学报, 1984, 期号: 01 吴鼎芬; H.Daembkes; K.Heime 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2012/03/29