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科研机构
山东大学 [3]
上海微系统与信息技术... [1]
内容类型
期刊论文 [4]
发表日期
2002 [1]
2001 [2]
1984 [1]
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InP-to-InGaAs interfacial strain grown by using tertiarybutylarsine and tertiarybutylphosphine
期刊论文
中国科学A辑(英文版), 2002, 卷号: 45, 期号: 5, 页码: 655-660
作者:
Xu XG(徐现刚)
;
Cui DL(崔得良)
;
Tang Z(唐喆)
;
Hao XP(郝霄鹏)
;
K.Heime
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提交时间:2020/01/14
MOVPE
InGaAs/InP
strain
TBAs
TBP
InGaAs/InP异质结界面层的应变研究
期刊论文
中国科学(A辑), 2001, 期号: 09, 页码: 817-822
作者:
徐现刚,崔得良,唐喆,郝霄鹏,K.Heime
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提交时间:2020/01/14
MOVPE
InGaAs/InP
界面应变
TBAs
TBP
InGaAs/InP异质结界面层的应变研究
期刊论文
中国科学. A辑, 数学, 2001, 卷号: 31, 期号: 9
作者:
徐现刚
;
崔得良
;
唐?
;
郝霄鹏
;
K.Heime
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提交时间:2020/01/14
界面应变
非共晶Au/Ge欧姆接触工艺改善扩散法n沟道GaAs MESFET
期刊论文
半导体学报, 1984, 期号: 01
吴鼎芬
;
H.Daembkes
;
K.Heime
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提交时间:2012/03/29
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