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科研机构
北京大学 [1]
内容类型
期刊论文 [1]
发表日期
2013 [1]
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Hopping Effect of Hydrogen-Doped Silicon Oxide Insert RRAM by Supercritical CO2 Fluid Treatment
期刊论文
ieee electron device letters, 2013
Chang, Kuan-Chang
;
Pan, Chih-Hung
;
Chang, Ting-Chang
;
Tsai, Tsung-Ming
;
Zhang, Rui
;
Lou, Jen-Chung
;
Young, Tai-Fa
;
Chen, Jung-Hui
;
Shih, Chih-Cheng
;
Chu, Tian-Jian
;
Chen, Jian-Yu
;
Su, Yu-Ting
;
Jiang, Jhao-Ping
;
Chen, Kai-Huang
;
Huang, Hui-Chun
;
Syu, Yong-En
;
Gan, Der-Shin
;
Sze, Simon M.
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提交时间:2015/11/11
Hopping conduction
resistive random access memory (RRAM)
supercritical fluid
RERAM
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