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	Probing deep level centers in gan epilayers with variable-frequency capacitance-voltage characteristics of au/gan schottky contacts 期刊论文 Applied physics letters, 2006, 卷号: 89, 期号: 14, 页码: 3 作者: Wang, R. X.; Xu, S. J.; Shi, S. L.; Beling, C. D.; Fung, S. 收藏 \| 浏览/下载：17/0 \| 提交时间：2019/05/12
	Influence of indium-tin-oxide thin-film quality on reverse leakage current of indium-tin-oxide/n-gan schottky contacts 期刊论文 Applied physics letters, 2006, 卷号: 89, 期号: 3, 页码: 3 作者: Wang, R. X.; Xu, S. J.; Djurisic, A. B.; Beling, C. D.; Cheung, C. K. 收藏 \| 浏览/下载：16/0 \| 提交时间：2019/05/12
	Influence of indium-tin-oxide thin-film quality on reverse leakage current of indium-tin-oxide/n-GaN Schottky contacts 期刊论文 applied physics letters, 2006, 卷号: 89, 期号: 3, 页码: art.no.033503 Wang RX (Wang R. X.); Xu SJ (Xu S. J.); Djurisic AB (Djurisic A. B.); Beling CD (Beling C. D.); Cheung CK (Cheung C. K.); Cheung CH (Cheung C. H.); Fung S (Fung S.); Zhao DG (Zhao D. G.); Yang H (Yang H.); Tao XM (Tao X. M.) 收藏 \| 浏览/下载：26/0 \| 提交时间：2010/04/11 MOLECULAR-BEAM EPITAXY N-TYPE GAN ELECTRICAL-PROPERTIES BIAS LEAKAGE DIODES OXYGEN
	Probing deep level centers in GaN epilayers with variable-frequency capacitance-voltage characteristics of Au/GaN Schottky contacts 期刊论文 applied physics letters, 2006, 卷号: 89, 期号: 14, 页码: art.no.143505 Wang RX (Wang R. X.); Xu SJ (Xu S. J.); Shi SL (Shi S. L.); Beling CD (Beling C. D.); Fung S (Fung S.); Zhao DG (Zhao D. G.); Yang H (Yang H.); Tao XM (Tao X. M.) 收藏 \| 浏览/下载：43/0 \| 提交时间：2010/04/11 DISLOCATIONS DEGRADATION
	Deep level defects E1/E2 in n-type 6H silicon carbide induced by electron radiation and He-implantation. 期刊论文 AIP Conference Proceedings, 2005, 卷号: vol.772 No.1, 页码: 99-100 作者: Ling, C. C.; Chen, X. D.; Fung, S.; Beling, C. D.; Brauer, G. 收藏 \| 浏览/下载：5/0 \| 提交时间：2019/03/26 ION implantation SPECTRUM analysis ATOMS ELECTRONS PHYSICS
	Deep level transient spectroscopic study of neutron-irradiated n-type 6H-SiC 期刊论文 Journal of Applied Physics, 2003, 卷号: 94, 期号: 5, 页码: 3004-3010 X. D. Chen; S. Fung; C. C. Ling; C. D. Beling; M. Gong 收藏 \| 浏览/下载：17/0 \| 提交时间：2012/04/14 6h silicon-carbide positron-annihilation defect centers
	Investigation of Residual Donor Defects in Undoped and Fe-Doped LEC InP 期刊论文半导体学报, 2002, 卷号: 23, 期号: 5, 页码: 455-458 Zhao Youwen; Sun Niefeng; S. Fung; C. D. Beling; Sun Tongnian; Lin Lanying 收藏 \| 浏览/下载：15/0 \| 提交时间：2010/11/23
	Photoluminescence study of beryllium implantation induced intrinsic defects in 6H-silicon carbide 期刊论文 Physica B, 2001, 卷号: Vol.308-310, 页码: 710-713 作者: S. Fung; X. D. Chen; C. D. Beling; Y. Huang; Q. Li 收藏 \| 浏览/下载：2/0 \| 提交时间：2019/02/25 Photoluminescence Beryllium Defects 6H-SiC Implantation
	Aluminum and Electron-Irradiation Induced Deep-Levels In N-Type And P-Type 6H-Sic 期刊论文 MRS Online Proceedings Library, 1998, 卷号: Vol.510 作者: Min Gong; C. D. Beling; S. Fung; G. Brauer; H. Wirth 收藏 \| 浏览/下载：3/0 \| 提交时间：2019/03/01

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