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重庆大学 [6]
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内容类型
期刊论文 [14]
发表日期
2019 [1]
2017 [3]
2016 [4]
2014 [1]
1999 [1]
1998 [1]
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Bipolar resistive switching effect and mechanism of solution-processed orthorhombic Bi2SiO5 thin films
期刊论文
2019, 卷号: 19, 期号: 9, 页码: 987
作者:
Chen, Ruqi[1,2]
;
Hu, Wei[2,3]
;
Zou, Lilan[2,4]
;
Ke, Yifu[2]
;
Hao, Aize[2]
收藏
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2019/12/26
Flower-like nickel-zinc-cobalt mixed metal oxide nanowire arrays for electrochemical capacitor applications
期刊论文
2017, 卷号: 708, 页码: 146-153
作者:
Hu, Wei[1]
;
Wei, Hongyun[1]
;
She, Yin[1,2]
;
Tang, Xiaosheng[1]
;
Zhou, Miao[1]
收藏
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2019/11/28
Uniform resistive switching properties of fully transparent TiO2-based memory devices
期刊论文
2017, 卷号: 693, 页码: 1180-1184
作者:
Zou, Lilan[1]
;
Hu, Wei[2]
;
Xie, Wei[3]
;
Bao, Dinghua[3]
收藏
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浏览/下载:7/0
  |  
提交时间:2019/11/30
Uniform resistive switching properties of fully transparent TiO2-based memory devices
期刊论文
2017, 卷号: 693, 页码: 1180
作者:
Zou, Lilan[1]
;
Hu, Wei[2]
;
Xie, Wei[3]
;
Bao, Dinghua[3]
收藏
  |  
浏览/下载:5/0
  |  
提交时间:2019/12/26
High speed and multi-level resistive switching capability of Ta2O5 thin films for nonvolatile memory application
期刊论文
2016, 卷号: 676, 页码: 356-360
作者:
Hu, Wei[1]
;
Zou, Lilan[2]
;
Gao, Chao[1]
;
Guo, Yongcai[1]
;
Bao, Dinghua[2]
收藏
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2019/11/28
Unipolar resistive switching effect and mechanism of solution-processed spinel Co3O4 thin films
期刊论文
2016, 卷号: 103, 页码: 230-235
作者:
Hu, Wei[1]
;
Zou, Lilan[2]
;
Lin, Xiaogang[1]
;
Gao, Chao[1]
;
Guo, Yongcai[1]
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/11/28
High speed and multi-level resistive switching capability of Ta2O5thin films for nonvolatile memory application
期刊论文
2016, 卷号: 676, 页码: 356-360
作者:
Hu, Wei[1]
;
Zou, Lilan[2]
;
Gao, Chao[1]
;
Guo, Yongcai[1]
;
Bao, Dinghua[2]
收藏
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2019/11/29
Unipolar resistive switching effect and mechanism of solution-processed spinel Co3O4thin films
期刊论文
2016, 卷号: 103, 页码: 230-235
作者:
Hu, Wei[1]
;
Zou, Lilan[2]
;
Lin, Xiaogang[1]
;
Gao, Chao[1]
;
Guo, Yongcai[1]
收藏
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2019/11/29
Tri-Resistive Switching Behavior of Hydrogen Induced Resistance Random Access Memory
期刊论文
ieee electron device letters, 2014
Chu, Tian-Jian
;
Tsai, Tsung-Ming
;
Chang, Ting-Chang
;
Chang, Kuan-Chang
;
Zhang, Rui
;
Chen, Kai-Huang
;
Chen, Jung-Hui
;
Young, Tai-Fa
;
Huang, Jen-Wei
;
Lou, Jen-Chung
;
Chen, Min-Chen
;
Huang, Syuan-Yong
;
Chen, Hsin-Lu
;
Syu, Yong-En
;
Bao, Dinghua
;
Sze, Simon M.
收藏
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2015/11/11
RRAM
hydrogen
resistive switching
tri-resistive states
HOPPING CONDUCTION
ORIGIN
RRAM
Synthesis and characterization of (Pb, Ca) TiO3 nanocrystalline powders by sol-gel process
期刊论文
Gongneng Cailiao/Journal of Functional Materials, 1999, 卷号: 30, 期号: 2, 页码: 182-183
作者:
Bao, Dinghua
;
Zhai, Jiwei
;
Zhang, Liangying
;
Yao, Xi
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2020/01/07
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