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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 碲镉汞红外焦平面列阵器件钝化界面的植氢优化方法 专利 专利号: 200910198961.7, 申请日期: 2011-01-01, 公开日期: 2011-12-15 作者:  1 叶振华 2 黄建 3杨建荣4 尹文婷5 邢雯 6 林春 7 陈兴国 8 胡晓宁9 丁瑞军 10 何力 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2011/12/15