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科研机构
上海技术物理研究所 [1]
内容类型
专利 [1]
发表日期
2011 [1]
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离子注入型碲镉汞红外焦平面的光电p-n结修饰方法
专利
专利号: 200910198960.2, 申请日期: 2011-01-01, 公开日期: 2011-12-15
作者:
1 叶振华 2黄建3 祝海彬4 尹文婷5林春 6 胡晓宁 7 丁瑞军 8 何力
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提交时间:2011/12/15
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