已选(0)清除
条数/页: 排序方式:
|
| 半導体光集積素子および半導体光集積素子の製造方法 专利 专利号: JP2010109215A, 申请日期: 2010-05-13, 公开日期: 2010-05-13 作者: 鶴岡 清貴; 加藤 友章; 佐藤 健二; 須藤 信也; 岡本 健志
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:6/0  |  提交时间:2019/12/31 |
| 半導体光集積素子およびその製造方法 专利 专利号: JP2009038120A, 申请日期: 2009-02-19, 公开日期: 2009-02-19 作者: 鶴岡 清貴; 工藤 耕治; 須藤 信也
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:3/0  |  提交时间:2020/01/18 |
| 半導体レーザの製造方法 专利 专利号: JP2000138418A, 申请日期: 2000-05-16, 公开日期: 2000-05-16 作者: 鶴岡 清貴
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:1/0  |  提交时间:2020/01/13 |
| 半導体レーザとその製造方法 专利 专利号: JP3001390B2, 申请日期: 1999-11-12, 公开日期: 2000-01-24 作者: 鶴岡 清貴
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:1/0  |  提交时间:2020/01/18 |
| 半導体レーザ及びその製造方法 专利 专利号: JP2996221B2, 申请日期: 1999-10-29, 公开日期: 1999-12-27 作者: 鶴岡 清貴
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:18/0  |  提交时间:2020/01/18 |
| 半導体レーザの製造方法 专利 专利号: JP1999017273A, 申请日期: 1999-01-22, 公开日期: 1999-01-22 作者: 鶴岡 清貴; 鈴木 尚文
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:0/0  |  提交时间:2020/01/18 |