| 半導体レーザとその製造方法 | |
| 鶴岡 清貴 | |
| 1999-11-12 | |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 专利号 | JP3001390B2 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザとその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 電流狭窄効果を高め、かつ高温においてもしきい値電流を低く抑え、しかも高速変調動作が可能な半導体レーザとその製造方法を提供する。 【構成】 第1の導電型のInP基板10上に、第1の導電型のInPクラッド層11を有し、この上にストライプ状にInGaAsPまたはInGaAsのバルクまたは量子井戸構造を有する活性層12を有し、その上に第2の導電型のInPクラッド層13が積層され、活性層12の両側にはn-InP電流ブロック層15とFeドープ半絶縁性InP電流ブロック層16の積層構造が設けられ、かつクラッド層の間の電流ブロック層の外側の両脇は空洞とされる。 |
| 公开日期 | 2000-01-24 |
| 申请日期 | 1995-01-26 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84470]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 鶴岡 清貴. 半導体レーザとその製造方法. JP3001390B2. 1999-11-12. |
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