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| III族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法 专利 专利号: JP2015149312A, 申请日期: 2015-08-20, 公开日期: 2015-08-20 作者: 住友 隆道; 高木 慎平 收藏  |  浏览/下载:14/0  |  提交时间:2019/12/31 |
| III族氮化物半导体激光元件、制作III族氮化物半导体激光元件的方法、评价III族氮化物半导体激光元件的光谐振器用的端面的方法、评价刻划槽的方法 专利 专利号: CN104737394A, 申请日期: 2015-06-24, 公开日期: 2015-06-24 作者: 高木慎平 收藏  |  浏览/下载:10/0  |  提交时间:2019/12/31 |
| III族氮化物半导体激光器元件的制作方法 专利 专利号: CN102934301B, 申请日期: 2014-10-22, 公开日期: 2014-10-22 作者: 高木慎平; 善积祐介; 片山浩二; 上野昌纪; 池上隆俊 收藏  |  浏览/下载:10/0  |  提交时间:2019/12/24 |
| III族氮化物半导体激光器元件及制作III族氮化物半导体激光器元件的方法 专利 专利号: CN102668282B, 申请日期: 2014-10-15, 公开日期: 2014-10-15 作者: 高木慎平; 善积祐介; 片山浩二; 上野昌纪; 池上隆俊 收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2019/12/26 |
| III族氮化物半导体激光器元件及制作III族氮化物半导体激光器元件的方法 专利 专利号: CN102668279B, 申请日期: 2014-09-10, 公开日期: 2014-09-10 作者: 善积祐介; 高木慎平; 池上隆俊; 上野昌纪; 片山浩二 收藏  |  浏览/下载:32/0  |  提交时间:2020/01/18 |
| 用于制造半导体激光器器件的方法及半导体激光器器件 专利 专利号: CN103959579A, 申请日期: 2014-07-30, 公开日期: 2014-07-30 作者: 滨口达史; 高木慎平 收藏  |  浏览/下载:10/0  |  提交时间:2019/12/31 |
| III族氮化物半导体激光元件、及制作III族氮化物半导体激光元件的方法 专利 专利号: CN102763293B, 申请日期: 2014-07-23, 公开日期: 2014-07-23 作者: 高木慎平; 善积祐介; 片山浩二; 上野昌纪; 池上隆俊 收藏  |  浏览/下载:0/0  |  提交时间:2020/01/18 |
| 制造III族氮化物半导体激光器件的方法 专利 专利号: CN103828148A, 申请日期: 2014-05-28, 公开日期: 2014-05-28 作者: 高木慎平 收藏  |  浏览/下载:16/0  |  提交时间:2019/12/31 |
| 用于制作III族氮化物半导体激光器件的方法 专利 专利号: CN103797667A, 申请日期: 2014-05-14, 公开日期: 2014-05-14 作者: 高木慎平 收藏  |  浏览/下载:0/0  |  提交时间:2020/01/18 |
| 激光二极管以及制造激光二极管的方法 专利 专利号: CN103208740A, 申请日期: 2013-07-17, 公开日期: 2013-07-17 作者: 滨口达史; 高木慎平 收藏  |  浏览/下载:1/0  |  提交时间:2020/01/18 |