| III族氮化物半导体激光元件、及制作III族氮化物半导体激光元件的方法 | |
| 高木慎平; 善积祐介; 片山浩二; 上野昌纪; 池上隆俊 | |
| 2014-07-23 | |
| 著作权人 | 住友电气工业株式会社 |
| 专利号 | CN102763293B |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | III族氮化物半导体激光元件、及制作III族氮化物半导体激光元件的方法 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种在六方晶系第III族氮化物的半极性面上，具有可实现低阈值电流的激光谐振器的第III族氮化物半导体激光元件、及稳定制作该第III族氮化物半导体激光元件的方法。在位于第III族氮化物半导体激光元件(11)的阳极侧的第一面(13a)的四个角部，分别形成有缺口部(113a)等缺口部。缺口部(113a)等为为了分离元件(11)而设的刻划槽的一部分。刻划槽为由激光刻划器而形成，刻划槽的形状为通过控制激光刻划器而调整。例如，缺口部(113a)等的深度与第III族氮化物半导体激光元件(11)的厚度之比为0.05以上0.4以下，缺口部(113a)的端部的侧壁面的倾斜度为45度以上85度以下，缺口部(113b)的端部的侧壁面的倾斜度为10度以上30度以下。 |
| 公开日期 | 2014-07-23 |
| 申请日期 | 2010-11-04 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85640]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 住友电气工业株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 高木慎平,善积祐介,片山浩二,等. III族氮化物半导体激光元件、及制作III族氮化物半导体激光元件的方法. CN102763293B. 2014-07-23. |
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