已选(0)清除
条数/页: 排序方式:
|
| 光素子モジュール及びその製造方法 专利 专利号: JP2008294262A, 申请日期: 2008-12-04, 公开日期: 2008-12-04 作者: 須郷 満; 福島 誠治; 大木 明; 加藤 和利
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2019/12/30 |
| 半導体光素子 专利 专利号: JP2008282975A, 申请日期: 2008-11-20, 公开日期: 2008-11-20 作者: 須郷 満; 竹下 達也; 伊賀 龍三; 近藤 康洋
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:8/0  |  提交时间:2020/01/13 |
| 光モジュール及びその調芯方法 专利 专利号: JP2008083282A, 申请日期: 2008-04-10, 公开日期: 2008-04-10 作者: 福島 誠治; 伊藤 猛; 大木 明; 須郷 満; 三橋 祐司
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2019/12/30 |
| 光増幅素子 专利 专利号: JP2008034882A, 申请日期: 2008-02-14, 公开日期: 2008-02-14 作者: 柴田 泰夫; 布谷 伸浩; 東盛 裕一; 近藤 康洋; 須郷 満
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:2/0  |  提交时间:2020/01/18 |
| 光増幅素子 专利 专利号: JP2006080377A, 申请日期: 2006-03-23, 公开日期: 2006-03-23 作者: 柴田 泰夫; 布谷 伸浩; 東盛 裕一; 近藤 康洋; 須郷 満
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:1/0  |  提交时间:2020/01/18 |
| 半導体レーザ 专利 专利号: JP3590277B2, 申请日期: 2004-08-27, 公开日期: 2004-11-17 作者: 横山 清行; 竹下 達也; 須郷 満
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2020/01/13 |
| 半導体レーザおよびその製造方法 专利 专利号: JP3314794B2, 申请日期: 2002-06-07, 公开日期: 2002-08-12 作者: 須郷 満; 天明 二郎; 森 英史; リヒャルト ネェツェル
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:1/0  |  提交时间:2020/01/18 |
| 半導体レーザおよび半導体レーザの製造方法 专利 专利号: JP2000232254A, 申请日期: 2000-08-22, 公开日期: 2000-08-22 作者: 野澤 博; 佐々木 徹; 天明 二郎; 柴田 知尋; 須郷 満
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:6/0  |  提交时间:2020/01/18 |
| 半導体レーザおよびその製造方法 专利 专利号: JP1999026863A, 申请日期: 1999-01-29, 公开日期: 1999-01-29 作者: 竹下 達也; 須郷 満; 西谷 昭彦; 伊賀 龍三; 福田 光男
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:6/0  |  提交时间:2020/01/13 |
| 半導体レーザと光増幅器を集積化した半導体装置 专利 专利号: JP1999017276A, 申请日期: 1999-01-22, 公开日期: 1999-01-22 作者: 西谷 昭彦; 須郷 満; 伊賀 龍三; 竹下 達也
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:10/0  |  提交时间:2020/01/18 |