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光素子モジュール及びその製造方法 专利
专利号: JP2008294262A, 申请日期: 2008-12-04, 公开日期: 2008-12-04
作者:  須郷 満;  福島 誠治;  大木 明;  加藤 和利
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半導体光素子 专利
专利号: JP2008282975A, 申请日期: 2008-11-20, 公开日期: 2008-11-20
作者:  須郷 満;  竹下 達也;  伊賀 龍三;  近藤 康洋
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光モジュール及びその調芯方法 专利
专利号: JP2008083282A, 申请日期: 2008-04-10, 公开日期: 2008-04-10
作者:  福島 誠治;  伊藤 猛;  大木 明;  須郷 満;  三橋 祐司
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光増幅素子 专利
专利号: JP2008034882A, 申请日期: 2008-02-14, 公开日期: 2008-02-14
作者:  柴田 泰夫;  布谷 伸浩;  東盛 裕一;  近藤 康洋;  須郷 満
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光増幅素子 专利
专利号: JP2006080377A, 申请日期: 2006-03-23, 公开日期: 2006-03-23
作者:  柴田 泰夫;  布谷 伸浩;  東盛 裕一;  近藤 康洋;  須郷 満
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半導体レーザ 专利
专利号: JP3590277B2, 申请日期: 2004-08-27, 公开日期: 2004-11-17
作者:  横山 清行;  竹下 達也;  須郷 満
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半導体レーザおよびその製造方法 专利
专利号: JP3314794B2, 申请日期: 2002-06-07, 公开日期: 2002-08-12
作者:  須郷 満;  天明 二郎;  森 英史;  リヒャルト ネェツェル
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半導体レーザおよび半導体レーザの製造方法 专利
专利号: JP2000232254A, 申请日期: 2000-08-22, 公开日期: 2000-08-22
作者:  野澤 博;  佐々木 徹;  天明 二郎;  柴田 知尋;  須郷 満
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半導体レーザおよびその製造方法 专利
专利号: JP1999026863A, 申请日期: 1999-01-29, 公开日期: 1999-01-29
作者:  竹下 達也;  須郷 満;  西谷 昭彦;  伊賀 龍三;  福田 光男
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半導体レーザと光増幅器を集積化した半導体装置 专利
专利号: JP1999017276A, 申请日期: 1999-01-22, 公开日期: 1999-01-22
作者:  西谷 昭彦;  須郷 満;  伊賀 龍三;  竹下 達也
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