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| 基于浅沟道隔离技术的化学机械研磨终点检测方法及系统 专利
专利号: CN201110335135.X, 申请日期: 2014-04-02, 公开日期: 2012-03-28
作者: 叶甜春 ; 陈岚; 徐勤志; 阮文彪
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| 集成电路制作过程中冗余金属填充的方法及半导体器件 专利
专利号: CN201110172941.X, 申请日期: 2014-02-12, 公开日期: 2011-10-19
作者: 叶甜春; 周隽雄; 陈岚; 阮文彪; 李志刚
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| 一种通过建立查找表快速提取含有冗余金属的互连结构的电容的方法 专利
专利号: CN201010589347.6, 申请日期: 2014-01-29, 公开日期: 2011-04-20
作者: 李志刚; 马天宇; 陈岚; 阮文彪; 叶甜春
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| Observation of e+e- → γx(3872) at BESIII 期刊论文
Physical Review Letters, 2014, 卷号: 112, 期号: 9
作者: Ablikim, Medina N./35226931500[0]; Achasov, M. N./7003450501[1]; Ai, Xiaocong/55770747000[2]; Albayrak, O./57084398500[3]; Ambrose, D. J./56999995000[4]
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| 一种填充冗余金属的方法 专利
专利号: CN201010615066.3, 申请日期: 2013-10-02, 公开日期: 2011-07-20
作者: 马天宇; 陈岚; 阮文彪; 李志刚; 叶甜春
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| 集成电路版图中冗余金属的填充方法 专利
专利号: CN201010514565.3, 申请日期: 2013-07-03, 公开日期: 2012-05-16
作者: 叶甜春; 杨飞; 陈岚; 阮文彪; 李志刚
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| 一种集成电路金属冗余填充物耦合电容的测试结构和方法 专利
专利号: CN201010300344.6, 申请日期: 2013-01-02, 公开日期: 2011-07-20
作者: 王强; 陈岚; 阮文彪; 李志刚; 杨飞
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| Improved measurement of electron antineutrino disappearance at Daya Bay 期刊论文
2013, 期号: 1, 页码: 1-20
作者: An FP(安丰鹏); An Q(安琪); Bai JZ(白景芝); A.B.Balantekin; H.R.Band
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| 面向纳米芯片可制造性设计的铜互连工艺建模与应用技术研究 学位论文
: 中国科学院研究生院, 2012
作者: 阮文彪
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| 集成电路版图表面平坦性的处理方法及集成电路版图 专利
专利号: CN102426618A, 申请日期: 2012-04-25, 公开日期: 2012-04-25
作者: 陈岚; 杨飞; 胡超; 马天宇; 李志刚
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