已选(0)清除
条数/页: 排序方式:
|
| 光准直器 专利 专利号: CN202563122U, 申请日期: 2012-11-28, 公开日期: 2012-11-28 作者: 武藤广行; 石井佳秀; 柳飞沙则; 森谷直彦; 峯成伸
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:16/0  |  提交时间:2019/12/24 |
| 半导体器件的制造方法、半导体器件、通信设备和半导体激光器 专利 专利号: CN101868888A, 申请日期: 2010-10-20, 公开日期: 2010-10-20 作者: 谷口英广; 行谷武; 片山悦治
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:33/0  |  提交时间:2020/01/18 |
| 半导体激光元件以及半导体激光元件制造方法 专利 专利号: CN101796699A, 申请日期: 2010-08-04, 公开日期: 2010-08-04 作者: 谷口英广; 石井宏辰; 行谷武
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:1/0  |  提交时间:2020/01/18 |
| 半導体レーザモジュール 专利 专利号: JP2010073758A, 申请日期: 2010-04-02, 公开日期: 2010-04-02 作者: 早水 尚樹; 行谷 武
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:5/0  |  提交时间:2020/01/13 |
| リッジ導波路型半導体レーザ素子 专利 专利号: JP2000114660A, 申请日期: 2000-04-21, 公开日期: 2000-04-21 作者: 粕川 秋彦; 行谷 武
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:7/0  |  提交时间:2020/01/13 |
| リッジ導波路型半導体レーザダイオード 专利 专利号: JP1997307184A, 申请日期: 1997-11-28, 公开日期: 1997-11-28 作者: 大久保 典雄; 粕川 秋彦; 池上 嘉一; 行谷 武
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:7/0  |  提交时间:2019/12/31 |
| 分布帰還型半導体レーザ素子 专利 专利号: JP1994326404A, 申请日期: 1994-11-25, 公开日期: 1994-11-25 作者: 行谷 武; 粕川 秋彦
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:5/0  |  提交时间:2019/12/30 |
| 半導体レーザ素子の製造方法 专利 专利号: JP1994090064A, 申请日期: 1994-03-29, 公开日期: 1994-03-29 作者: 行谷 武
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:1/0  |  提交时间:2020/01/18 |