| リッジ導波路型半導体レーザ素子 | |
| 粕川 秋彦; 行谷 武 | |
| 2000-04-21 | |
| 著作权人 | 古河電気工業株式会社 |
| 专利号 | JP2000114660A |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | リッジ導波路型半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 光出力が300mW以上の高出力であっても基本横モード動作は安定化し、また縦モード(発振波長)の跳躍も起こらないリッジ導波路型半導体レーザ素子を提供する。 【解決手段】 基板11の上に、下部クラッド層12,下部光閉じ込め層13a,活性層14,上部光閉じ込め層13b、および上部クラッド層15をこの順序で積層して成る積層構造を有し、上部クラッド層15にリッジ15aが形成されているリッジ導波路型半導体レーザ素子において、リッジ15aの幅(W)が2.5〜5.0μmであり、かつ、リッジ15aの底部から活性層14までの距離(t)が0.5〜0.8μmであるリッジ導波路型半導体レーザ素子。 |
| 公开日期 | 2000-04-21 |
| 申请日期 | 1998-09-30 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/82885]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 古河電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 粕川 秋彦,行谷 武. リッジ導波路型半導体レーザ素子. JP2000114660A. 2000-04-21. |
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