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| 窒化物系半導体レーザ装置 专利
专利号: JP2008047688A, 申请日期: 2008-02-28, 公开日期: 2008-02-28
作者: 田中 明; 菅原 秀人
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| 半導体素子及び半導体素子の製造方法 专利
专利号: JP3905935B2, 申请日期: 2007-01-19, 公开日期: 2007-04-18
作者: 板谷 和彦; 山本 雅裕; 小野村 正明; 藤本 英俊; 波多腰 玄一
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| 光送受信システムおよび光通信システム 专利
专利号: JP2002374039A, 申请日期: 2002-12-26, 公开日期: 2002-12-26
作者: 関谷 卓朗; 加藤 正良; 金井 健; 桜井 彰; 佐藤 俊一
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| 発光ダイオード 专利
专利号: JP3373561B2, 申请日期: 2002-11-22, 公开日期: 2003-02-04
作者: 菅原 秀人; 板谷 和彦
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| 半導体発光素子 专利
专利号: JP3242967B2, 申请日期: 2001-10-19, 公开日期: 2001-12-25
作者: 板谷 和彦; 新田 康一; 波多腰 玄一; 西川 幸江; 菅原 秀人
收藏 | 浏览/下载：0/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| 発光素子および結晶成長方法 专利
专利号: JP1999186602A, 申请日期: 1999-07-09, 公开日期: 1999-07-09
作者: 鈴木 伸洋; 菅原 秀人
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| 照明装置、読み取り装置、投影装置、浄化装置、および表示装置 专利
专利号: JP1999087770A, 申请日期: 1999-03-30, 公开日期: 1999-03-30
作者: 河 本 聡; 菅 原 秀 人; 新 田 康 一; 古 川 千 里
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| 半導体発光素子およびその製造方法 专利
专利号: JP1998144962A, 申请日期: 1998-05-29, 公开日期: 1998-05-29
作者: 菅原 秀人; 石川 正行
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| GaN系化合物半導体素子の製造方法 专利
专利号: JP1998075019A, 申请日期: 1998-03-17, 公开日期: 1998-03-17
作者: 弓 削 省 三; 菅 原 秀 人
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| 半導体レーザ装置、ダブルヘテロウエハおよびその製造方法 专利
专利号: JP2728672B2, 申请日期: 1997-12-12, 公开日期: 1998-03-18
作者: 大場 康夫; 菅原 秀人
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