| GaN系化合物半導体素子の製造方法 | |
| 弓 削 省 三; 菅 原 秀 人 | |
| 1998-03-17 | |
| 著作权人 | 株式会社東芝 |
| 专利号 | JP1998075019A |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | GaN系化合物半導体素子の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 高品質で結晶性にすぐれたInGaN発光層を形成し得る、高品質GaN系化合物半導体素子の製造方法を提供すること。 【解決手段】 (Ga1-x N/Alx )1-y Iny N(0≦x≦1,0≦y≦1)系結晶材料を気相成長させるに際し,同一層およびヘテロ層のいずれにおいても、形成する層の成長を中断する成長中断工程の少なくとも一つの成長中断工程における雰囲気として、V族ガスを含む雰囲気であり、かつ、V族以外のキャリアガスとして不活性ガスを用いることによって、前記成長中断工程において露出している層の昇華を防止するようにしたことを特徴とする。 |
| 公开日期 | 1998-03-17 |
| 申请日期 | 1997-06-26 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88974]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社東芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 弓 削 省 三,菅 原 秀 人. GaN系化合物半導体素子の製造方法. JP1998075019A. 1998-03-17. |
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