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| 半导体器件及其制造方法 专利
专利号: CN105144410A, 申请日期: 2015-12-09, 公开日期: 2015-12-09
作者: 柴田馨; 秋田胜史; 藤井慧; 石塚贵司
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| 氮化物半导体发光元件及外延衬底 专利
专利号: CN102422496B, 申请日期: 2014-08-06, 公开日期: 2014-08-06
作者: 京野孝史; 盐谷阳平; 秋田胜史; 上野昌纪; 善积祐介
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| III族氮化物半导体激光器元件及其制作方法 专利
专利号: CN102025104B, 申请日期: 2014-07-02, 公开日期: 2014-07-02
作者: 善积祐介; 盐谷阳平; 京野孝史; 足立真宽; 秋田胜史
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| GaN基半导体光器件、GaN基半导体光器件的制作方法、外延晶片及GaN基半导体膜的生长方法 专利
专利号: CN103560396A, 申请日期: 2014-02-05, 公开日期: 2014-02-05
作者: 盐谷阳平; 善积祐介; 上野昌纪; 秋田胜史; 京野孝史
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| III族氮化物半导体激光二极管及III族氮化物半导体激光二极管的制作方法 专利
专利号: CN102422497B, 申请日期: 2013-09-18, 公开日期: 2013-09-18
作者: 盐谷阳平; 善积祐介; 京野孝史; 秋田胜史; 上野昌纪
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| Ⅲ族氮化物半导体激光器元件及Ⅲ族氮化物半导体激光器元件的制作方法 专利
专利号: CN101984774B, 申请日期: 2013-02-13, 公开日期: 2013-02-13
作者: 善积祐介; 盐谷阳平; 京野孝史; 足立真宽; 秋田胜史
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| 氮化物类半导体光元件、用于氮化物类半导体光元件的外延晶片及制造半导体发光元件的方法 专利
专利号: CN101874309B, 申请日期: 2013-01-30, 公开日期: 2013-01-30
作者: 上野昌纪; 盐谷阳平; 京野孝史; 秋田胜史; 善积祐介
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| III族氮化物半导体元件、外延衬底及制作III族氮化物半导体元件的方法 专利
专利号: CN102474075A, 申请日期: 2012-05-23, 公开日期: 2012-05-23
作者: 盐谷阳平; 善积祐介; 京野孝史; 住友隆道; 秋田胜史
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| GaN基半导体发光器件及其制造方法 专利
专利号: CN102473805A, 申请日期: 2012-05-23, 公开日期: 2012-05-23
作者: 盐谷阳平; 京野孝史; 住友隆道; 秋田胜史; 上野昌纪
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| III族氮化物半导体光元件、外延衬底 专利
专利号: CN102474076A, 申请日期: 2012-05-23, 公开日期: 2012-05-23
作者: 善积祐介; 盐谷阳平; 秋田胜史; 上野昌纪; 京野孝史
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