| III族氮化物半导体光元件、外延衬底 | |
| 善积祐介; 盐谷阳平; 秋田胜史; 上野昌纪; 京野孝史; 中村孝夫 | |
| 2012-05-23 | |
| 著作权人 | 住友电气工业株式会社 |
| 专利号 | CN102474076A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | III族氮化物半导体光元件、外延衬底 |
| 英文摘要 | 本发明提供包含低电阻化的p型氮化镓基半导体层的III族氮化物半导体光元件。支撑体13的主面13a相对于基准平面Sc形成40度以上且140度以下的角度ALPHA，基准平面Sc正交于在该III族氮化物半导体的c轴的方向上延伸的基准轴Cx。主面13a显示出半极性及无极性中的任一种。n型GaN基半导体层15设置在支撑体13的主面13a上。n型GaN基半导体层15、有源层19及p型GaN基半导体层17排列在法线轴Nx的方向上。p型GaN基半导体层17中添加有镁作为p型掺杂剂，p型GaN基半导体层17含有碳作为p型掺杂剂。p型GaN基半导体层17的碳浓度为2×1016cm-3以上且1×1019cm-3以下。 |
| 公开日期 | 2012-05-23 |
| 申请日期 | 2010-07-13 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90452]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 住友电气工业株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 善积祐介,盐谷阳平,秋田胜史,等. III族氮化物半导体光元件、外延衬底. CN102474076A. 2012-05-23. |
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