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半導体発光素子の製造方法 专利
专利号: JP2009200382A, 申请日期: 2009-09-03, 公开日期: 2009-09-03
作者:  奥 保成;  小林 祐二;  福田 康彦
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窒化ガリウム系化合物半導体素子 专利
专利号: JP1999186604A, 申请日期: 1999-07-09, 公开日期: 1999-07-09
作者:  小林 祐二;  福田 康彦
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金合金電極膜の製造方法 专利
专利号: JP1995086207A, 申请日期: 1995-03-31, 公开日期: 1995-03-31
作者:  福田 康彦;  北園 俊郎
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