| 半導体発光素子の製造方法 | |
| 奥 保成; 小林 祐二; 福田 康彦 | |
| 2009-09-03 | |
| 著作权人 | パナソニック株式会社 |
| 专利号 | JP2009200382A |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】ウエハ検査後にリーク特性を示したり、全く発光しなかったりする問題を改善し、信頼性を向上させた半導体発光素子の製造方法を提供する。 【解決手段】基板1上にエピタキシャル成長法により半導体層を積層させることによりpn接合を形成し、しかる後にエッチングやダイシング等によりpn接合を個々の素子に分離させたウエハ10について電気的光学的特性を検査する工程を含む半導体発光素子6の製造方法において、前記検査の工程において、個々の素子に対して順方向電圧又は順方向電流を印加し電気的光学的特性の測定をする前に、積層させた半導体層により形成されたpn接合と個々の素子のpn接合の面積から推定される降伏電圧よりも大きい逆方向電圧を印加する。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2009-09-03 |
| 申请日期 | 2008-02-25 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86877]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | パナソニック株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 奥 保成,小林 祐二,福田 康彦. 半導体発光素子の製造方法. JP2009200382A. 2009-09-03. |
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