已选(0)清除
条数/页: 排序方式:
|
| 窒素化合物半導体膜の形成方法および窒素化合物半導体素子 专利 专利号: JP4005701B2, 申请日期: 2007-08-31, 公开日期: 2007-11-14 作者: 湯浅 貴之; 上田 吉裕
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:7/0  |  提交时间:2019/12/26 |
| 窒化物半導体基板、窒化物半導体レーザ素子、窒化物半導体基板の製造方法、および窒化物半導体レーザ素子の製造方法 专利 专利号: JP2007189221A, 申请日期: 2007-07-26, 公开日期: 2007-07-26 作者: 伊藤 茂稔; 上田 吉裕; 湯浅 貴之; 種谷 元隆; 元木 健作
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:12/0  |  提交时间:2019/12/31 |
| 窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法 专利 专利号: JP3771987B2, 申请日期: 2006-02-17, 公开日期: 2006-05-10 作者: 小河 淳; 湯浅 貴之
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2019/12/24 |
| 窒化物半導体レーザ素子とこれを含む光学装置 专利 专利号: JP2002217498A, 申请日期: 2002-08-02, 公开日期: 2002-08-02 作者: 津田 有三; 湯浅 貴之; 伊藤 茂稔; 種谷 元隆; 山崎 幸生
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:11/0  |  提交时间:2020/01/13 |
| 窒素化合物半導体発光素子 专利 专利号: JP2001156401A, 申请日期: 2001-06-08, 公开日期: 2001-06-08 作者: 荒木 正浩; 湯浅 貴之; 上田 吉裕; 小河 淳; 津田 有三
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:8/0  |  提交时间:2019/12/31 |
| 化合物半導体基板、及び化合物半導体基板の製造方法、並びに発光素子 专利 专利号: JP1999135882A, 申请日期: 1999-05-21, 公开日期: 1999-05-21 作者: 小河 淳; 湯浅 貴之
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:6/0  |  提交时间:2019/12/30 |
| 半導体発光素子及びその製造方法 专利 专利号: JP1997186403A, 申请日期: 1997-07-15, 公开日期: 1997-07-15 作者: 湯浅 貴之; 猪口 和彦
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2020/01/13 |