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| 半导体装置 专利 专利号: CN106486888A, 申请日期: 2017-03-08, 公开日期: 2017-03-08 作者: 深谷一夫 收藏  |  浏览/下载:22/0  |  提交时间:2020/01/13 |
| 半导体激光器以及制造半导体激光器的方法 专利 专利号: CN101820135A, 申请日期: 2010-09-01, 公开日期: 2010-09-01 作者: 多田健太郎; 远藤健司; 深谷一夫; 奥田哲朗; 小林正英 收藏  |  浏览/下载:11/0  |  提交时间:2019/12/31 |
| 窓型半導体レーザおよびその製造方法 专利 专利号: JP2000323789A, 申请日期: 2000-11-24, 公开日期: 2000-11-24 作者: 深谷 一夫 收藏  |  浏览/下载:8/0  |  提交时间:2019/12/31 |
| 半導体レーザとその製造方法 专利 专利号: JP2712970B2, 申请日期: 1997-10-31, 公开日期: 1998-02-16 作者: 深谷 一夫 收藏  |  浏览/下载:6/0  |  提交时间:2020/01/18 |
| 半導体レーザ 专利 专利号: JP2687694B2, 申请日期: 1997-08-22, 公开日期: 1997-12-08 作者: 深谷 一夫 收藏  |  浏览/下载:8/0  |  提交时间:2020/01/13 |
| 半導体レーザ及びその製造方法 专利 专利号: JP1997199784A, 申请日期: 1997-07-31, 公开日期: 1997-07-31 作者: 深谷 一夫 收藏  |  浏览/下载:4/0  |  提交时间:2020/01/13 |
| 分布帰還型半導体レーザ 专利 专利号: JP2630273B2, 申请日期: 1997-04-18, 公开日期: 1997-07-16 作者: 深谷 一夫 收藏  |  浏览/下载:7/0  |  提交时间:2019/12/24 |
| 歪量子井戸半導体レーザの気相成長方法 专利 专利号: JP1995045909A, 申请日期: 1995-02-14, 公开日期: 1995-02-14 作者: 深谷 一夫; 石川 信 收藏  |  浏览/下载:39/0  |  提交时间:2020/01/18 |
| 半導体レーザアレイとその製造方法 专利 专利号: JP1994053595A, 申请日期: 1994-02-25, 公开日期: 1994-02-25 作者: 深谷 一夫 收藏  |  浏览/下载:0/0  |  提交时间:2020/01/18 |