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| 半导体装置 专利
专利号: CN106486888A, 申请日期: 2017-03-08, 公开日期: 2017-03-08
作者: 深谷一夫
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| 半导体激光器以及制造半导体激光器的方法 专利
专利号: CN101820135A, 申请日期: 2010-09-01, 公开日期: 2010-09-01
作者: 多田健太郎; 远藤健司; 深谷一夫; 奥田哲朗; 小林正英
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| 窓型半導体レーザおよびその製造方法 专利
专利号: JP2000323789A, 申请日期: 2000-11-24, 公开日期: 2000-11-24
作者: 深谷 一夫
收藏 | 浏览/下载：8/0 | 提交时间：2019/12/31 |
| 半導体レーザとその製造方法 专利
专利号: JP2712970B2, 申请日期: 1997-10-31, 公开日期: 1998-02-16
作者: 深谷 一夫
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| 半導体レーザ 专利
专利号: JP2687694B2, 申请日期: 1997-08-22, 公开日期: 1997-12-08
作者: 深谷 一夫
收藏 | 浏览/下载：8/0 | 提交时间：2020/01/13 |
| 半導体レーザ及びその製造方法 专利
专利号: JP1997199784A, 申请日期: 1997-07-31, 公开日期: 1997-07-31
作者: 深谷 一夫
收藏 | 浏览/下载：4/0 | 提交时间：2020/01/13 |
| 分布帰還型半導体レーザ 专利
专利号: JP2630273B2, 申请日期: 1997-04-18, 公开日期: 1997-07-16
作者: 深谷 一夫
收藏 | 浏览/下载：7/0 | 提交时间：2019/12/24 |
| 歪量子井戸半導体レーザの気相成長方法 专利
专利号: JP1995045909A, 申请日期: 1995-02-14, 公开日期: 1995-02-14
作者: 深谷 一夫; 石川 信
收藏 | 浏览/下载：39/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| 半導体レーザアレイとその製造方法 专利
专利号: JP1994053595A, 申请日期: 1994-02-25, 公开日期: 1994-02-25
作者: 深谷 一夫
收藏 | 浏览/下载：0/0 | 提交时间：2020/01/18 |
