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| 氮化物半导体激光元件 专利
专利号: CN109787087A, 申请日期: 2019-05-21, 公开日期: 2019-05-21
作者: 驹田聪; 津田有三
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| 窒化物半導体レーザ素子とこれを含む光学装置 专利
专利号: JP4854133B2, 申请日期: 2011-11-04, 公开日期: 2012-01-18
作者: 津田 有三; 伊藤 茂稔; 石田 真也; 花岡 大介; 神川 剛
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| 氮化物半导体激光元件 专利
专利号: CN102084560A, 申请日期: 2011-06-01, 公开日期: 2011-06-01
作者: 太田征孝; 伊藤茂稔; 津田有三; 麦华路巴武吕; 高桥幸司
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| 窒化物半導体レーザ素子 专利
专利号: JP2009059797A, 申请日期: 2009-03-19, 公开日期: 2009-03-19
作者: 太田 征孝; 津田 有三
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| 窒化物半導体レーザ装置 专利
专利号: JP2007027181A, 申请日期: 2007-02-01, 公开日期: 2007-02-01
作者: 高倉 輝芳; 津田 有三
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| 制造氮化物半导体的装置和方法及获得的半导体激光器件 专利
专利号: CN1758419A, 申请日期: 2006-04-12, 公开日期: 2006-04-12
作者: 荒木正浩; 山田英司; 汤浅贵之; 津田有三; 阿久津仲男
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| 氮化物半导体激光器件 专利
专利号: CN1702927A, 申请日期: 2005-11-30, 公开日期: 2005-11-30
作者: 津田有三; 花冈大介; 石田真也
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| III-V族系窒化物半導体レーザ素子およびその製造方法 专利
专利号: JP2005093936A, 申请日期: 2005-04-07, 公开日期: 2005-04-07
作者: 津田 有三; 毛利 裕一
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| 窒化物半導体レーザ素子とこれを含む光学装置 专利
专利号: JP2002217498A, 申请日期: 2002-08-02, 公开日期: 2002-08-02
作者: 津田 有三; 湯浅 貴之; 伊藤 茂稔; 種谷 元隆; 山崎 幸生
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| 窒化物半導体発光素子、光ピックアップ装置、および、発光装置 专利
专利号: JP2002158405A, 申请日期: 2002-05-31, 公开日期: 2002-05-31
作者: 津田 有三; 伊藤 茂稔
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